5V-12V升24V+60V/20A的NMOS

AH6953为一款频率可调、外置MOSFET大电流升压芯片，电路PWM输出直接驱动N沟道场效应管驱动升压实现大电流输出，芯片的输入范围为2.2V-15V，该控制器采用独特的控制方案，PWM（脉冲宽度调制）的优越性，提供一个、较宽电压调节范围的电源。具有较小的静态电流，在重载情况下具有较高的效率，噪声小。采用很小体积的外围元件就可获得满意的输出纹波，这样便于降低电路成本及电路的尺寸。AH6953广泛应用于CCD/CATV/PMPDSC/DSV、STB/VGA Card、DPF(数码相框)、LCD Panel背光、移动电源、应急充电器，其基本特性如下：

@提供高度参考电压源: 0.5V(+/-2％)

@Totem Pole 输出PWM 信号，用以直接推动NMOS

@宽工作电压范围：3.6V-15V

@宽工作频率范围：50KHz1MHz

@欠压IC 栓锁功能(UVLO)

@PWM DTC 限制：75％

@软开机及短路保护功能 (Soft-Start amp；am SCP)

@省电功能 (Shutdow Mode)

@采用TSSOP-8L封装

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产品型号 电压参数 电流参数 阻值参数 封装参数

20N03 电压/30V 电流/20A 内阻/26mΩ 封装 TO-252/SOP-8

60N03 电压/30V 电流/60A 内阻/13mΩ 封装 TO-252/TO-220铁

80N03 电压/30V 电流/80A 内阻/10mΩ 封装 TO-252

85N03 电压/30V 电流/85A 内阻/ 8mΩ 封装 TO-252

150N03 电压/30V 电流/150A 内阻/4mΩ 封装 TO-220铁

30P03 电压/30V 电流/30A 内阻/30mΩ 封装 TO-252

20N04 电压/40V 电流/20A 内阻/35mΩ 封装 TO-252

60N04 电压/40V 电流/60A 内阻/ 5mΩ 封装 TO-252

20N06 电压/60V 电流/20A 内阻/50mΩ 封装 TO-252

50N06 电压/60V 电流/50A 内阻/20mΩ 封装 TO-252/TO-220F/SOP-8

75N75 电压/75V 电流/75A 内阻/9 mΩ 封装 TO-220铁

我们专业生产销售各种高低压大小功率MOS场效应管，如果你有需要请和我们联系13538067573-XV同号

MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。