这两个概念主要出半导体加工过程中，初的半导体基片（衬底片）抛光沿用机械抛光、例如氧化镁、氧化锆抛光等，但是得到的晶片表面损伤是极其严重的。直到60年代末，一种新的抛光技术——化学机械抛光技术（CMP Chemical Mechanical Polishing ）取代了旧的方法。

硅片的化学机械抛光过程是以化学反应为主的机械抛光过程，要获得质量好的抛光片，必须使抛光过程中的化学腐蚀作用与机械磨削作用达到一种平衡。如果化学腐蚀作用大于机械抛光作用，则抛光片表面产生腐蚀坑、桔皮状波纹。如果机械磨削作用大于化学腐蚀作用，则表面产生高损伤层。

依据机械加工原理、半导体材料工程学、物力化学多相反应多相催化理论、表面工程学、半导体化学基础理论等，对硅单晶片化学机械抛光（CMP）机理、动力学控制过程和影响因素研究标明，化学机械抛光是一个复杂的多相反应，它存在着两个动力学过程。

LED芯片主要采用的衬底材料是蓝宝石，在加工过程中需要对其进行减薄和抛光。蓝宝石的硬度，普通磨料难以对其进行加工。在用金刚石研磨液对蓝宝石衬底表面进行减薄和粗磨后，表面不可避免的有一些或大或小的划痕。

应用领域 1、 光通讯领域，配合公司专门为光纤连接器开发的抛光产品，能达到超精细抛光效果，抛光后连接器端面没有划伤和缺陷，3D指标和反射衰减指标达到国际标准。 2、 硬盘基片的抛光，SiO2磨料呈球形，具有粒度均匀、分散性好、平坦化效率高等优点。 3、 硅晶圆、蓝宝石等半导体及衬底材料的粗抛和精抛，具有抛光速率高，抛光后易清洗，表面粗糙度低，能够得到总厚偏差（TTV）极小的质量表面。 4、其他领域的应用，如不锈钢、光学玻璃等领域，抛光后能达到良好的抛光效果

一些制样技术对金刚石抛光剂的要求更高, 并且对一种特殊的制样方法确切知道需要何种金刚石抛光剂是非常必要的。 对试样的要求高意味对研磨剂要进行临界选择(多晶的金刚石, P) 但是只要一个可接受的试样，使用价格便宜的金刚石产品(单晶金刚石, M)就足够了。制样时选择金刚石产品，制样的质量、时间和成本都必须综合起来考虑。

防锈的特点，能够保证不产生锈蚀，适当的加入防锈剂，需要要求防锈处理，主要是针对水性研磨抛光液而言，对于油性研磨抛光液，一般是不会产生锈蚀的问题。

润滑作用。主要是指研磨抛光液渗入工件以及磨粒切屑之间所形成的润滑膜，这层膜能够减轻摩擦，使砂轮耐用度增加，有效的防止工件表面粗糙度出现恶化。