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砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下，能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
砷化镓是一种重要的半导体材料。属Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体。属闪锌矿型晶格结构，晶格常数5.65×10-10m，熔点1237℃，禁带宽度1.4电子伏。砷化镓于1964年进入实用阶段。
美国针对含(g/t) ：Pt 1220，Pd 170，Rh140 的废催化剂，以金属铁粉为捕集剂,少量碳作还原剂，加石灰熔剂进行等离子熔炼(破碎后的粉状废催化剂:石灰:铁:碳~100:10:1~3:1)。熔炼温度约 1500℃，所有粉状物料混合后喷射入炉，传热、传质快。载体与熔剂化合转变为炉渣，获得带磁性的含铂族金属约 7%的铁合金，可以磁选回收。铁合金相的产率，即铂族金属在铁合金中的富集倍数，取决于铁粉加入量，报道的熔炼回收率(%) ：Pt>99，Pd >98，Rh约 87。